分子污染物(AMC)对微电子制程的影响

　　分子级空气污染对微电子制程的影响主要表现为表面分子污染(SMC：SURFACE MOLECULAR CONTAMINATION)，这是由气态分子和特定表面作用而形成非常薄的化学膜，化学膜通常改变产品表面的物理、电子、化学和光学特性，主要表现在以下几个方面：

　　Ø 导致光阻层表面硬化T型缺陷(T - TOP)，当有HMDS (HEXA METHYL DI SILOXANE)存在硅Si片表面时，进行光阻涂布会产生T性缺陷;

　　Ø 污染气体如HF、HCl、H2SO4、H3PO4、Cl2、NOX、SOX等，引起晶片表面污染，导致金属化制程中的金属附着力下降;

　　Ø 污染气体导致芯片内连接导线因腐蚀而报废;

　　Ø 造成掩模及步进设备上光学镜面模糊;

　　Ø 导致设施和设备腐蚀而停机;

　　Ø 导致HEPA过滤器降解，维护成本增加;

　　Ø 硼磷掺杂不受控;

　　Ø 导致不能控制蚀刻速度，邻苯二甲酸二气易附着于晶片表面形成碳化硅SiC;

　　Ø 引起阈值电压改变，硼族元素硼粒子(B2O3)、BF3气态污染，会引起晶片表面污染;

　　Ø 导致无效清洁。

　　亿天通过AMC检测和监测手段识别空气中分子污染物的具体种类和含量水平，可针对每种环境定制滤料和过滤器解决方案。